ဘက်ထရီ သက်တမ်း ၁ ပတ်ခံတဲ့ ဖုန်းတွေ ဖန်တီးနိုင်တဲ့ Chip ကို IBM နဲ့ Samsung ဖန်တီး

IBM နဲ့ Samsung တို့က Transistor တွေကို ဒေါင်လိုက် ထပ်ထားနိုင်တဲ့ Chip ဒီဇိုင်း အသစ်ကို ကြေညာလိုက်ပါတယ်။ လက်ရှိ Chip တွေမှာတော့ Transistor တွေကို အလျားလိုက်စီထားတာ ဖြစ်ပါတယ်။

ဒေါင်လိုက် Chip ဒီဇိုင်းကို Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) လို့ နာမည်ပေးထားပြီး လက်ရှိ FinFET နည်းပညာထက် အားသာချက်တွေရှိပါတယ်။ VTFET တွေမှာ FinFET ထက်  Transistor တွေ ပိုမို ထည့်သွင်းနိုင်ပြီး စွမ်းဆောင်ရည်က ၂ ဆ ပိုကောင်းလာသလို စွမ်းအင် စားသုံးမှုကို ၈၅ ရာခိုင်နှုန်း လျှော့ချပေးနိုင်ပါတယ်။ အဲဒီအတွက် စမတ်ဖုန်းတွေရဲ့ ဘက်ထရီ သက်တမ်းကို ၁ ပတ်လောက် အသုံးခံအောင် စွမ်းဆောင်ပေးနိုင်ပါတယ်။

Samsung and IBM Announce Call for Code Challenge to Honor Everyday Heroes

IBM နဲ့ Samsung က အဲဒီ Chip ကို စမတ်ဖုန်းတွေမှာ သာမက တခြား နေရာတွေမှာပါ ထည့်သွင်းအသုံးချဖို့ စီစဉ်ထားပါတယ်။ ဥပမာအနေနဲ့ စွမ်းအင် စားသုံးမှု များပြားတဲ့ Cryptomining ၊ Data Encryption နဲ့ IoT Device တွေအတွက် အရမ်း အသုံးဝင်မှာ ဖြစ်ပါတယ်။ အာကာသယာဉ်တွေမှာတောင် အဲဒီ Chip ကို ထည့်သွင်း အသုံးချနိုင်ဖို့ ရည်မှန်းထားပါတယ်။

IBM ဟာ ဒီနှစ် အစောပိုင်းမှာ ပထမဆုံး 2nm Chip ကို ပြသခဲ့ပြီး လက်ရှိ FinFET ဒီဇိုင်းကိုပဲ အသုံးပြုကာ Chip မှာ Transistor တွေ ပိုထည့်သွင်းထားပါတယ်။ VTFET ကတော့ ဒီထက် ပို စွမ်းဆောင်ရည် မြင့်မားမှာ ဖြစ်ပါတယ်။

Ref : theverge

%d bloggers like this: